ข่าว

โตชิบาให้ NAND เป็นส่วนต่อประสานแบบอนุกรมสำหรับการเปลี่ยน NOR

ข้อดีของอินเทอร์เฟซแบบอนุกรมคืออุปกรณ์สามารถควบคุมได้เพียง 6-pin และนี่หมายความว่าพวกเขาสามารถใช้เป็นหน่วยความจำแฟลช SLC NAND นับขาต่ำได้

ขณะนี้หน่วยความจำแฟลช SLC NAND กำลังถูกใช้เป็นทางเลือกความจุสูงกว่าสำหรับหน่วยความจำแฟลช NOR ในแอปพลิเคชันฝังตัวบางตัวที่มีโปรแกรมบู๊ตหน่วยความจำสำหรับบูตและบันทึกข้อมูล

มีรหัสการแก้ไขข้อผิดพลาดในตัว) พร้อมฟังก์ชั่นการรายงานจำนวนบิตการพลิก

Serial Interface NAND ที่รองรับ SPI นั้นมีให้ใช้ในสามความหนาแน่น - 1Gbit, 2Gbit และ 4Gbit

มีตัวอย่างและการผลิตมีกำหนดเริ่มต้นด้วยผลิตภัณฑ์ 1Gbit ในเดือนธันวาคม 2558

Devcies หน่วยความจำมีอยู่ในขนาดแพ็คเกจ WSON คือ 6.0 มม. × 8.0 มม. และขนาดแพคเกจ SOP คือ 10.3 มม. × 7.5 มม.

ผลิตภัณฑ์ในแพ็คเกจ BGA 3 ยังอยู่ระหว่างการพัฒนาพร้อมจัดส่งตัวอย่างสำหรับไตรมาสแรก (ม.ค. - มี.ค. ) ปี 2559

แพ็คเกจและการกำหนดขาเข้ากันได้กับหน่วยความจำแฟลชอนุกรมทั่วไป