SI8461DB-T2-E1
SI8461DB-T2-E1
Artikelnummer:
SI8461DB-T2-E1
Tillverkare:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Beskrivning:
MOSFET P-CH 20V MICROFOOT
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Blyfri / Överensstämmer med RoHS
Kvantitet:
56343 Pieces
Leveranstid:
1-2 days
Datablad:
SI8461DB-T2-E1.pdf

Introduktion

SI8461DB-T2-E1 bästa pris och snabb leverans.
BOSER Technology är distributören för SI8461DB-T2-E1, vi har bestånden för omgående leverans och även tillgänglig för lång tid leverans. Vänligen skicka oss din köpplan för SI8461DB-T2-E1 via e-post, vi ger dig det bästa priset enligt din plan.
Vår email: [email protected]

Specifikationer

Tillstånd New and Original
Ursprung Contact us
Distributör Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:1V @ 250µA
Vgs (Max):±8V
Teknologi:MOSFET (Metal Oxide)
Leverantörs Device Package:4-Microfoot
Serier:TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:100 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Effektdissipation (Max):780mW (Ta), 1.8W (Tc)
Förpackning:Tape & Reel (TR)
Förpackning / Fodral:4-XFBGA, CSPBGA
Andra namn:SI8461DB-T2-E1TR
SI8461DBT2E1
Driftstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp:Surface Mount
Fuktkänslighetsnivå (MSL):1 (Unlimited)
Ledningsfri status / RoHS-status:Lead free / RoHS Compliant
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds:610pF @ 10V
Gate Laddning (Qg) (Max) @ Vgs:24nC @ 8V
FET-typ:P-Channel
FET-funktionen:-
Drivspänning (Max Rds På, Min Rds På):1.5V, 4.5V
Avlopp till källspänning (Vdss):20V
detaljerad beskrivning:P-Channel 20V 780mW (Ta), 1.8W (Tc) Surface Mount 4-Microfoot
Ström - Kontinuerlig avlopp (Id) @ 25 ° C:-
Email:[email protected]

Snabbsökcitation

Artikelnummer
Kvantitet
Företag
E-post
Telefon
kommentarer