| Tilstand | New and Original |
|---|---|
| Opprinnelse | Contact us |
| distributør | Boser Technology |
| Vgs (th) (Maks) @ Id: | 1V @ 250µA |
| Vgs (maks): | ±8V |
| Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Leverandør Enhetspakke: | 4-Microfoot |
| Serie: | TrenchFET® |
| Rds På (Maks) @ Id, Vgs: | 100 mOhm @ 1.5A, 4.5V |
| Strømdissipasjon (maks): | 780mW (Ta), 1.8W (Tc) |
| emballasje: | Tape & Reel (TR) |
| Pakke / tilfelle: | 4-XFBGA, CSPBGA |
| Andre navn: | SI8461DB-T2-E1TR SI8461DBT2E1 |
| Driftstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Monteringstype: | Surface Mount |
| Vannfølsomhetsnivå (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Lead Free Status / RoHS Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Inputkapasitans (Ciss) (Maks) @ Vds: | 610pF @ 10V |
| Gateavgift (Qg) (Maks) @ Vgs: | 24nC @ 8V |
| FET Type: | P-Channel |
| FET-funksjonen: | - |
| Drivspenning (Maks. Rds På, Min Rds På): | 1.5V, 4.5V |
| Drain til Source Voltage (VDSS): | 20V |
| Detaljert beskrivelse: | P-Channel 20V 780mW (Ta), 1.8W (Tc) Surface Mount 4-Microfoot |
| Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C: | - |
| Email: | [email protected] |
