IPD80R1K0CEBTMA1
IPD80R1K0CEBTMA1
Artikelnummer:
IPD80R1K0CEBTMA1
Tillverkare:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Beskrivning:
MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Blyfri / Överensstämmer med RoHS
Kvantitet:
29722 Pieces
Leveranstid:
1-2 days
Datablad:
IPD80R1K0CEBTMA1.pdf

Introduktion

IPD80R1K0CEBTMA1 bästa pris och snabb leverans.
BOSER Technology är distributören för IPD80R1K0CEBTMA1, vi har bestånden för omgående leverans och även tillgänglig för lång tid leverans. Vänligen skicka oss din köpplan för IPD80R1K0CEBTMA1 via e-post, vi ger dig det bästa priset enligt din plan.
Vår email: [email protected]

Specifikationer

Tillstånd New and Original
Ursprung Contact us
Distributör Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:3.9V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Teknologi:MOSFET (Metal Oxide)
Leverantörs Device Package:TO-252-3
Serier:CoolMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:950 mOhm @ 3.6A, 10V
Effektdissipation (Max):83W (Tc)
Förpackning:Tape & Reel (TR)
Förpackning / Fodral:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Andra namn:IPD80R1K0CEBTMA1TR
SP001100606
Driftstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp:Surface Mount
Fuktkänslighetsnivå (MSL):1 (Unlimited)
Ledningsfri status / RoHS-status:Lead free / RoHS Compliant
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds:785pF @ 100V
Gate Laddning (Qg) (Max) @ Vgs:31nC @ 10V
FET-typ:N-Channel
FET-funktionen:-
Drivspänning (Max Rds På, Min Rds På):10V
Avlopp till källspänning (Vdss):800V
detaljerad beskrivning:N-Channel 800V 5.7A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount TO-252-3
Ström - Kontinuerlig avlopp (Id) @ 25 ° C:5.7A (Tc)
Email:[email protected]

Snabbsökcitation

Artikelnummer
Kvantitet
Företag
E-post
Telefon
kommentarer