IPD80R1K0CEBTMA1
IPD80R1K0CEBTMA1
Artikelnummer:
IPD80R1K0CEBTMA1
Hersteller:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Beschreibung:
MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bleifrei / RoHS-konform
Anzahl:
29722 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
IPD80R1K0CEBTMA1.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New and Original
Ursprung Contact us
Verteiler Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:3.9V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:TO-252-3
Serie:CoolMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:950 mOhm @ 3.6A, 10V
Verlustleistung (max):83W (Tc)
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Andere Namen:IPD80R1K0CEBTMA1TR
SP001100606
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:785pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:31nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):10V
Drain-Source-Spannung (Vdss):800V
detaillierte Beschreibung:N-Channel 800V 5.7A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount TO-252-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:5.7A (Tc)
Email:[email protected]

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