| Состояние | New and Original |
|---|---|
| происхождения | Contact us |
| дистрибьютор | Boser Technology |
| Напряжение - испытания: | 1066pF @ 10V |
| Напряжение - Разбивка: | Micro8™ |
| Vgs (й) (Max) @ Id: | 55 mOhm @ 4.3A, 4.5V |
| Серии: | HEXFET® |
| Статус RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 4.3A |
| Мощность - Макс: | 1.25W |
| поляризация: | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) |
| Другие названия: | IRF7555TRPBF-ND IRF7555TRPBFTR SP001565526 |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип установки: | Surface Mount |
| Уровень влажности (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Номер детали производителя: | IRF7555TRPBF |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds: | 15nC @ 5V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs: | 1.2V @ 250µA |
| FET Характеристика: | 2 P-Channel (Dual) |
| Расширенное описание: | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 4.3A 1.25W Surface Mount Micro8™ |
| Слить к источнику напряжения (VDSS): | Logic Level Gate |
| Описание: | MOSFET 2P-CH 20V 4.3A MICRO8 |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C: | 20V |
| Email: | [email protected] |
