| Состояние | New and Original |
|---|---|
| происхождения | Contact us |
| дистрибьютор | Boser Technology |
| Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс): | 160V |
| Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic: | 200mV @ 5mA, 50mA |
| Тип транзистор: | NPN |
| Поставщик Упаковка устройства: | TO-92-3 |
| Серии: | - |
| Мощность - Макс: | 630mW |
| упаковка: | Tube |
| Упаковка /: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Другие названия: | 2N5551P 2N5551P-ND 933215530412 |
| Рабочая Температура: | 150°C (TJ) |
| Тип установки: | Through Hole |
| Уровень чувствительности влаги (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Частота - Переход: | 300MHz |
| Подробное описание: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 160V 300mA 300MHz 630mW Through Hole TO-92-3 |
| DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce: | 80 @ 10mA, 5V |
| Ток - Коллектор Граничная (Макс): | 50nA (ICBO) |
| Ток - коллектор (Ic) (Макс): | 300mA |
| Номер базового номера: | 2N5551 |
| Email: | [email protected] |
