| Stav | New and Original |
|---|---|
| Původ | Contact us |
| Distributor | Boser Technology |
| Napětí - kolektoru emitoru Breakdown (Max): | 160V |
| VCE Saturation (Max) @ IB, IC: | 200mV @ 5mA, 50mA |
| Transistor Type: | NPN |
| Dodavatel zařízení Package: | TO-92-3 |
| Série: | - |
| Power - Max: | 630mW |
| Obal: | Tube |
| Paket / krabice: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Ostatní jména: | 2N5551P 2N5551P-ND 933215530412 |
| Provozní teplota: | 150°C (TJ) |
| Typ montáže: | Through Hole |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frekvence - Přechod: | 300MHz |
| Detailní popis: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 160V 300mA 300MHz 630mW Through Hole TO-92-3 |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 80 @ 10mA, 5V |
| Aktuální - sběratel Cutoff (Max): | 50nA (ICBO) |
| Proud - Collector (Ic) (Max): | 300mA |
| Číslo základní části: | 2N5551 |
| Email: | [email protected] |
