TPCC8008(TE12L,QM)
TPCC8008(TE12L,QM)
Modelo do Produto:
TPCC8008(TE12L,QM)
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição:
MOSFET N-CH 30V 25A 8TSON
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade:
84229 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
1.TPCC8008(TE12L,QM).pdf2.TPCC8008(TE12L,QM).pdf

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:2.5V @ 1A
Vgs (Max):±25V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:8-TSON Advance (3.3x3.3)
Série:U-MOSIV
RDS ON (Max) @ Id, VGS:6.8 mOhm @ 12.5A, 10V
Dissipação de energia (Max):700mW (Ta), 30W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:8-PowerVDFN
Outros nomes:TPCC8008(TE12LQM)TR
Temperatura de operação:150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1600pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:30nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição detalhada:N-Channel 30V 25A (Ta) 700mW (Ta), 30W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:25A (Ta)
Email:[email protected]

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