TPCC8008(TE12L,QM)
TPCC8008(TE12L,QM)
Número de pieza:
TPCC8008(TE12L,QM)
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 25A 8TSON
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad:
84229 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
1.TPCC8008(TE12L,QM).pdf2.TPCC8008(TE12L,QM).pdf

Introducción

TPCC8008(TE12L,QM) mejor precio y entrega rápida.
BOSER Technology es el distribuidor de TPCC8008(TE12L,QM), tenemos las existencias para envío inmediato y también estamos disponibles para el suministro a largo plazo. Envíenos su plan de compra para TPCC8008(TE12L,QM) por correo electrónico, le daremos un mejor precio de acuerdo con su plan.
Nuestro correo electrónico: [email protected]

Especificaciones

Condición New and Original
Origen Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @Id:2.5V @ 1A
Vgs (Max):±25V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:8-TSON Advance (3.3x3.3)
Serie:U-MOSIV
RDS (Max) @Id, Vgs:6.8 mOhm @ 12.5A, 10V
La disipación de energía (máximo):700mW (Ta), 30W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-PowerVDFN
Otros nombres:TPCC8008(TE12LQM)TR
Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1600pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:30nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción detallada:N-Channel 30V 25A (Ta) 700mW (Ta), 30W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:25A (Ta)
Email:[email protected]

Solicitud de Cotización rápida

Número de pieza
Cantidad
Empresa
Email
Teléfono
Notas/Comentarios