TPCA8A01-H(TE12L,Q
Modelo do Produto:
TPCA8A01-H(TE12L,Q
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição:
MOSFET N-CH 30V 36A SOP8 ADV
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade:
65126 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
1.TPCA8A01-H(TE12L,Q.pdf2.TPCA8A01-H(TE12L,Q.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:2.3V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:8-SOP Advance (5x5)
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:5.6 mOhm @ 18A, 10V
Dissipação de energia (Max):1.6W (Ta), 45W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:8-PowerVDFN
Temperatura de operação:150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1970pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:35nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição detalhada:N-Channel 30V 36A (Ta) 1.6W (Ta), 45W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:36A (Ta)
Email:[email protected]

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