RGT80TS65DGC11
RGT80TS65DGC11
Modelo do Produto:
RGT80TS65DGC11
Fabricante:
LAPIS Semiconductor
Descrição:
IGBT 650V 70A 234W TO-247N
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade:
77995 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
1.RGT80TS65DGC11.pdf2.RGT80TS65DGC11.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):650V
Vce (on) (Max) @ VGE, Ic:2.1V @ 15V, 40A
Condição de teste:400V, 40A, 10 Ohm, 15V
Td (ligar / desligar) @ 25 ° C:34ns/119ns
Alternando Energia:-
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-247N
Série:-
Inversa de tempo de recuperação (trr):58ns
Power - Max:234W
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-247-3
Temperatura de operação:-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:15 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Tipo de entrada:Standard
Tipo de IGBT:Trench Field Stop
portão de carga:79nC
Descrição detalhada:IGBT Trench Field Stop 650V 70A 234W Through Hole TO-247N
Atual - Collector Pulsada (ICM):120A
Atual - Collector (Ic) (Max):70A
Email:[email protected]

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