RGT80TS65DGC11
RGT80TS65DGC11
Modello di prodotti:
RGT80TS65DGC11
fabbricante:
LAPIS Semiconductor
Descrizione:
IGBT 650V 70A 234W TO-247N
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
77995 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
1.RGT80TS65DGC11.pdf2.RGT80TS65DGC11.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Tensione - rottura collettore-emettitore (max):650V
Vce (on) (max) a VGE, Ic:2.1V @ 15V, 40A
Condizione di test:400V, 40A, 10 Ohm, 15V
Td (on / off) @ 25 ° C:34ns/119ns
di scambio energetico:-
Contenitore dispositivo fornitore:TO-247N
Serie:-
Tempo di ripristino inverso (trr):58ns
Potenza - Max:234W
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-247-3
temperatura di esercizio:-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:15 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Tipo di ingresso:Standard
Tipo IGBT:Trench Field Stop
carica gate:79nC
Descrizione dettagliata:IGBT Trench Field Stop 650V 70A 234W Through Hole TO-247N
Corrente - collettore Pulsed (Icm):120A
Corrente - collettore (Ic) (max):70A
Email:[email protected]

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