RGT80TS65DGC11
RGT80TS65DGC11
部品型番:
RGT80TS65DGC11
メーカー:
LAPIS Semiconductor
説明:
IGBT 650V 70A 234W TO-247N
[LeadFreeStatus]未找到翻译
鉛フリー/ RoHS準拠
数量:
77995 Pieces
配達時間:
1-2 days
データシート:
1.RGT80TS65DGC11.pdf2.RGT80TS65DGC11.pdf

簡潔な

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規格

状況 New and Original
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配給業者 Boser Technology
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):650V
VGE、Icを@ VCE(上)(最大):2.1V @ 15V, 40A
試験条件:400V, 40A, 10 Ohm, 15V
Td(オン/オフ)@ 25℃:34ns/119ns
エネルギーの切り替え:-
サプライヤデバイスパッケージ:TO-247N
シリーズ:-
逆回復時間(trrの):58ns
電力 - 最大:234W
パッケージング:Tube
パッケージ/ケース:TO-247-3
運転温度:-40°C ~ 175°C (TJ)
装着タイプ:Through Hole
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:15 Weeks
鉛フリーステータス/ RoHSステータス:Lead free / RoHS Compliant
入力タイプ:Standard
IGBTタイプ:Trench Field Stop
ゲートチャージ:79nC
詳細な説明:IGBT Trench Field Stop 650V 70A 234W Through Hole TO-247N
電流 - コレクタパルス(ICM):120A
電流 - コレクタ(Ic)(Max):70A
Email:[email protected]

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