NTZD3155CT1G
NTZD3155CT1G
Modelo do Produto:
NTZD3155CT1G
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET N/P-CH 20V SOT-563
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade:
58509 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
NTZD3155CT1G.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:1V @ 250µA
Embalagem do dispositivo fornecedor:SOT-563
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:550 mOhm @ 540mA, 4.5V
Power - Max:250mW
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:SOT-563, SOT-666
Outros nomes:NTZD3155CT1GOSTR
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:46 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:150pF @ 16V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:2.5nC @ 4.5V
Tipo FET:N and P-Channel
Característica FET:Logic Level Gate
Escorra a tensão de fonte (Vdss):20V
Descrição detalhada:Mosfet Array N and P-Channel 20V 540mA, 430mA 250mW Surface Mount SOT-563
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:540mA, 430mA
Número da peça base:NTZD3155C
Email:[email protected]

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