NTZD3155CT1G
NTZD3155CT1G
Modèle de produit:
NTZD3155CT1G
Fabricant:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description:
MOSFET N/P-CH 20V SOT-563
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
58509 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
NTZD3155CT1G.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:1V @ 250µA
Package composant fournisseur:SOT-563
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:550 mOhm @ 540mA, 4.5V
Puissance - Max:250mW
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:SOT-563, SOT-666
Autres noms:NTZD3155CT1GOSTR
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:46 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:150pF @ 16V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:2.5nC @ 4.5V
type de FET:N and P-Channel
Fonction FET:Logic Level Gate
Tension drain-source (Vdss):20V
Description détaillée:Mosfet Array N and P-Channel 20V 540mA, 430mA 250mW Surface Mount SOT-563
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:540mA, 430mA
Numéro de pièce de base:NTZD3155C
Email:[email protected]

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