NTZD5110NT1G
NTZD5110NT1G
Modelo do Produto:
NTZD5110NT1G
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET 2N-CH 60V 0.294A SOT563
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade:
26319 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
NTZD5110NT1G.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:2.5V @ 250µA
Embalagem do dispositivo fornecedor:SOT-563
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:1.6 Ohm @ 500mA, 10V
Power - Max:250mW
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:SOT-563, SOT-666
Outros nomes:NTZD5110NT1G-ND
NTZD5110NT1GOSTR
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:45 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:24.5pF @ 20V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:0.7nC @ 4.5V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Característica FET:Logic Level Gate
Escorra a tensão de fonte (Vdss):60V
Descrição detalhada:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 294mA 250mW Surface Mount SOT-563
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:294mA
Número da peça base:NTZD5110N
Email:[email protected]

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