| Condição | New and Original |
|---|---|
| Origem | Contact us |
| Distribuidor | Boser Technology |
| Escrever Tempo do Ciclo - Palavra, Página: | - |
| Tensão - Fornecimento: | 2.7 V ~ 3.6 V |
| Tecnologia: | MRAM (Magnetoresistive RAM) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | 8-DFN-EP, Large Flag (5x6) |
| Série: | Automotive, AEC-Q100 |
| Embalagem: | Tray |
| Caixa / Gabinete: | 8-TDFN Exposed Pad |
| Outros nomes: | 819-1047 MR25H10MDC-ND |
| Temperatura de operação: | -40°C ~ 125°C (TA) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Tipo de memória: | Non-Volatile |
| Tamanho da memória: | 1Mb (128K x 8) |
| Interface de memória: | SPI |
| Formato de memória: | RAM |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Descrição detalhada: | MRAM (Magnetoresistive RAM) Memory IC 1Mb (128K x 8) SPI 40MHz 8-DFN-EP, Large Flag (5x6) |
| Freqüência de relógio: | 40MHz |
| Email: | [email protected] |
