| Condizione | New and Original |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Distributore | Boser Technology |
| Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina: | - |
| Tensione di alimentazione -: | 2.7 V ~ 3.6 V |
| Tecnologia: | MRAM (Magnetoresistive RAM) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 8-DFN-EP, Large Flag (5x6) |
| Serie: | Automotive, AEC-Q100 |
| imballaggio: | Tray |
| Contenitore / involucro: | 8-TDFN Exposed Pad |
| Altri nomi: | 819-1047 MR25H10MDC-ND |
| temperatura di esercizio: | -40°C ~ 125°C (TA) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Tipo di memoria: | Non-Volatile |
| Dimensione della memoria: | 1Mb (128K x 8) |
| Interfaccia di memoria: | SPI |
| Formato di memoria: | RAM |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Descrizione dettagliata: | MRAM (Magnetoresistive RAM) Memory IC 1Mb (128K x 8) SPI 40MHz 8-DFN-EP, Large Flag (5x6) |
| Frequenza dell'orologio: | 40MHz |
| Email: | [email protected] |
