| Condición | New and Original |
|---|---|
| Origen | Contact us |
| Distribuidor | Boser Technology |
| Escribir tiempo de ciclo - Word, Página: | - |
| Suministro de voltaje: | 2.7 V ~ 3.6 V |
| Tecnología: | MRAM (Magnetoresistive RAM) |
| Paquete del dispositivo: | 8-DFN-EP, Large Flag (5x6) |
| Serie: | Automotive, AEC-Q100 |
| embalaje: | Tray |
| Paquete / Cubierta: | 8-TDFN Exposed Pad |
| Otros nombres: | 819-1047 MR25H10MDC-ND |
| Temperatura de funcionamiento: | -40°C ~ 125°C (TA) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Tipo de memoria: | Non-Volatile |
| Tamaño de la memoria: | 1Mb (128K x 8) |
| Interfaz de memoria: | SPI |
| Formato de memoria: | RAM |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Descripción detallada: | MRAM (Magnetoresistive RAM) Memory IC 1Mb (128K x 8) SPI 40MHz 8-DFN-EP, Large Flag (5x6) |
| Frecuencia de reloj: | 40MHz |
| Email: | [email protected] |
