| Condição | New and Original |
|---|---|
| Origem | Contact us |
| Distribuidor | Boser Technology |
| Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max): | 60V |
| Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic: | 300mV @ 50mA, 1A |
| Tipo transistor: | PNP |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | TO-92-3 |
| Série: | - |
| Power - Max: | 750mW |
| Embalagem: | Tape & Box (TB) |
| Caixa / Gabinete: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| Temperatura de operação: | 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Through Hole |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequência - Transição: | 120MHz |
| Descrição detalhada: | Bipolar (BJT) Transistor PNP 60V 1A 120MHz 750mW Through Hole TO-92-3 |
| DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce: | 135 @ 100mA, 2V |
| Atual - Collector Cutoff (Max): | 100nA (ICBO) |
| Atual - Collector (Ic) (Max): | 1A |
| Número da peça base: | KSB1116 |
| Email: | [email protected] |
