| Condición | New and Original |
|---|---|
| Origen | Contact us |
| Distribuidor | Boser Technology |
| Tensión - Colector-emisor (máx): | 60V |
| VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic: | 300mV @ 50mA, 1A |
| Tipo de transistor: | PNP |
| Paquete del dispositivo: | TO-92-3 |
| Serie: | - |
| Potencia - Max: | 750mW |
| embalaje: | Tape & Box (TB) |
| Paquete / Cubierta: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| Temperatura de funcionamiento: | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frecuencia - Transición: | 120MHz |
| Descripción detallada: | Bipolar (BJT) Transistor PNP 60V 1A 120MHz 750mW Through Hole TO-92-3 |
| DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce: | 135 @ 100mA, 2V |
| Corriente - corte del colector (Max): | 100nA (ICBO) |
| Corriente - colector (Ic) (Max): | 1A |
| Número de pieza base: | KSB1116 |
| Email: | [email protected] |
