| Condizione | New and Original |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Distributore | Boser Technology |
| Tensione - rottura collettore-emettitore (max): | 60V |
| Vce saturazione (max) a Ib, Ic: | 300mV @ 50mA, 1A |
| Tipo transistor: | PNP |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-92-3 |
| Serie: | - |
| Potenza - Max: | 750mW |
| imballaggio: | Tape & Box (TB) |
| Contenitore / involucro: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| temperatura di esercizio: | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequenza - transizione: | 120MHz |
| Descrizione dettagliata: | Bipolar (BJT) Transistor PNP 60V 1A 120MHz 750mW Through Hole TO-92-3 |
| Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce: | 135 @ 100mA, 2V |
| Corrente - Cutoff collettore (max): | 100nA (ICBO) |
| Corrente - collettore (Ic) (max): | 1A |
| Numero di parte base: | KSB1116 |
| Email: | [email protected] |
