FDMC007N08LC
Modelo do Produto:
FDMC007N08LC
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CHANNEL 80V 66A 8PQFN
Quantidade:
65012 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
FDMC007N08LC.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:2.5V @ 120µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Série:Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:7 mOhm @ 21A, 10V
Dissipação de energia (Max):57W (Tc)
Caixa / Gabinete:8-PowerWDFN
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:34 Weeks
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2940pF @ 40V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:41nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):80V
Descrição detalhada:N-Channel 80V 66A (Tc) 57W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:66A (Tc)
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