FDMA908PZ
FDMA908PZ
Modelo do Produto:
FDMA908PZ
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET P-CH 12V 12A 6QFN
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade:
54566 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
FDMA908PZ.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:1V @ 250µA
Vgs (Max):±8V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:6-MicroFET (2x2)
Série:PowerTrench®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:12.5 mOhm @ 12A, 4.5V
Dissipação de energia (Max):2.4W (Ta)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:6-WDFN Exposed Pad
Outros nomes:FDMA908PZTR
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:39 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:3957pF @ 6V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:34nC @ 4.5V
Tipo FET:P-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):1.8V, 4.5V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):12V
Descrição detalhada:P-Channel 12V 12A (Ta) 2.4W (Ta) Surface Mount 6-MicroFET (2x2)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:12A (Ta)
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