FDMA905P
FDMA905P
Modelo do Produto:
FDMA905P
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET P-CH 12V 6-MLP 2X2
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade:
72834 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
FDMA905P.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:1V @ 250µA
Vgs (Max):±8V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:6-MicroFET (2x2)
Série:PowerTrench®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:16 mOhm @ 10A, 4.5V
Dissipação de energia (Max):2.4W (Ta)
Embalagem:Original-Reel®
Caixa / Gabinete:6-VDFN Exposed Pad
Outros nomes:FDMA905PFSDKR
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:39 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:3405pF @ 6V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:29nC @ 6V
Tipo FET:P-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):1.8V, 4.5V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):12V
Descrição detalhada:P-Channel 12V 10A (Ta) 2.4W (Ta) Surface Mount 6-MicroFET (2x2)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:10A (Ta)
Email:[email protected]

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