FDMC007N08LC
Modèle de produit:
FDMC007N08LC
Fabricant:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description:
MOSFET N-CHANNEL 80V 66A 8PQFN
Quantité:
65012 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
FDMC007N08LC.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:2.5V @ 120µA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Séries:Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:7 mOhm @ 21A, 10V
Dissipation de puissance (max):57W (Tc)
Package / Boîte:8-PowerWDFN
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:34 Weeks
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:2940pF @ 40V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:41nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss):80V
Description détaillée:N-Channel 80V 66A (Tc) 57W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:66A (Tc)
Email:[email protected]

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