| Condição | New and Original |
|---|---|
| Origem | Contact us |
| Distribuidor | Boser Technology |
| Tensão - Teste: | 29pF @ 32.5V |
| Tensão - Breakdown: | Die |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 275 mOhm @ 500mA, 5V |
| Tecnologia: | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Série: | eGaN® |
| Status de RoHS: | Tray |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 2.9A (Ta) |
| Polarização: | Die |
| Outros nomes: | 917-EPC8005ENGR EPC8005ENGH |
| Temperatura de operação: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de peça do fabricante: | EPC8005ENGR |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 0.22nC @ 5V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 2.5V @ 250µA |
| Característica FET: | N-Channel |
| Descrição expandida: | N-Channel 65V 2.9A (Ta) Surface Mount Die |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | - |
| Descrição: | TRANS GAN 65V 2.9A BUMPED DIE |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 65V |
| Rácio de capacitância: | - |
| Email: | [email protected] |
