| Condição | New and Original |
|---|---|
| Origem | Contact us |
| Distribuidor | Boser Technology |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 250µA |
| Vgs (Max): | +6V, -4V |
| Tecnologia: | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | Die |
| Série: | eGaN® |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 530 mOhm @ 500mA, 5V |
| Dissipação de energia (Max): | - |
| Embalagem: | Cut Tape (CT) |
| Caixa / Gabinete: | Die |
| Outros nomes: | 917-1118-1 |
| Temperatura de operação: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 12 Weeks |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 21pF @ 32.5V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica FET: | - |
| Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado): | 5V |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 65V |
| Descrição detalhada: | N-Channel 65V 2A (Ta) Surface Mount Die |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 2A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
