| Состояние | New and Original |
|---|---|
| происхождения | Contact us |
| дистрибьютор | Boser Technology |
| Vgs (й) (Max) @ Id: | 2.5V @ 250µA |
| Vgs (макс.): | +6V, -4V |
| Технологии: | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Поставщик Упаковка устройства: | Die |
| Серии: | eGaN® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 530 mOhm @ 500mA, 5V |
| Рассеиваемая мощность (макс): | - |
| упаковка: | Cut Tape (CT) |
| Упаковка /: | Die |
| Другие названия: | 917-1118-1 |
| Рабочая Температура: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип установки: | Surface Mount |
| Уровень чувствительности влаги (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Стандартное время изготовления: | 12 Weeks |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds: | 21pF @ 32.5V |
| Тип FET: | N-Channel |
| FET Характеристика: | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On): | 5V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS): | 65V |
| Подробное описание: | N-Channel 65V 2A (Ta) Surface Mount Die |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C: | 2A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
