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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > EPC2029ENGR
EPC2029ENGR
EPC2029ENGR
Modelo do Produto:
EPC2029ENGR
Fabricante:
EPC
Descrição:
TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade:
54651 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
EPC2029ENGR.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
Tensão - Teste:1400pF @ 40V
Tensão - Breakdown:Die
VGS (th) (Max) @ Id:3.2 mOhm @ 30A, 5V
Tecnologia:GaNFET (Gallium Nitride)
Série:eGaN®
Status de RoHS:Tray
RDS ON (Max) @ Id, VGS:31A (Ta)
Polarização:Die
Outros nomes:917-EPC2029ENGR
Temperatura de operação:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:EPC2029ENGR
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:13nC @ 5V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:2.5V @ 12mA
Característica FET:N-Channel
Descrição expandida:N-Channel 80V 31A (Ta) Surface Mount Die
Escorra a tensão de fonte (Vdss):-
Descrição:TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:80V
Rácio de capacitância:-
Email:[email protected]

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