Português
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska Български език✕
Sobre Nós | Contacte-nos | Solicitar um orçamento |
Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > EPC2031ENGR
EPC2031ENGR
EPC2031ENGR
Modelo do Produto:
EPC2031ENGR
Fabricante:
EPC
Descrição:
TRANS GAN 60V 31A BUMPED DIE
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade:
29548 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
EPC2031ENGR.pdf
inquérito

Introdução

EPC2031ENGR melhor preço e entrega rápida.
BOSER Technology é o distribuidor para EPC2031ENGR, temos as ações para o transporte imediato e também está disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor, envie-nos o seu plano de compra para EPC2031ENGR por e-mail, nós lhe daremos um melhor preço de acordo com o seu plano.
Nosso email: [email protected]

Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
Tensão - Teste:1800pF @ 300V
Tensão - Breakdown:Die
VGS (th) (Max) @ Id:2.6 mOhm @ 30A, 5V
Vgs (Max):5V
Tecnologia:GaNFET (Gallium Nitride)
Série:eGaN®
Status de RoHS:Tray
RDS ON (Max) @ Id, VGS:31A (Ta)
Polarização:Die
Outros nomes:917-EPC2031ENGR
Temperatura de operação:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:EPC2031ENGR
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:17nC @ 5V
Tipo de IGBT:+6V, -4V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:2.5V @ 15mA
Característica FET:N-Channel
Descrição expandida:N-Channel 60V 31A (Ta) Surface Mount Die
Escorra a tensão de fonte (Vdss):-
Descrição:TRANS GAN 60V 31A BUMPED DIE
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:60V
Rácio de capacitância:-
Email:[email protected]

Pedido de Orçamento Rápido

Modelo do Produto
Quantidade
Empresa
O email
Telefone
Observações

Peças relacionadas para EPC2031ENGR

Imagem Modelo do Produto Fabricantes Descrição Visão
EPC2034ENGR Image EPC2034ENGR EPC TRANS GAN 200V 31A BUMPED DIE inquérito
EPC2033ENGRT Image EPC2033ENGRT EPC TRANS GAN 150V 31A BUMPED DIE inquérito
EPC2030 Image EPC2030 EPC MOSFET NCH 40V 31A DIE inquérito
EPC2025 EPC TRANS GAN 300V 150MO BUMPED DIE inquérito
EPC2032 Image EPC2032 EPC TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE inquérito
EPC2034ENGRT Image EPC2034ENGRT EPC TRANS GAN 200V 31A BUMPED DIE inquérito
EPC2029ENGR Image EPC2029ENGR EPC TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE inquérito
EPC2030ENGRT Image EPC2030ENGRT EPC MOSFET NCH 40V 31A DIE inquérito
EPC2033 Image EPC2033 EPC TRANS GAN 150V 7MOHM BUMPED DIE inquérito
EPC2024ENGR Image EPC2024ENGR EPC TRANS GAN 40V 60A BUMPED DIE inquérito
EPC2032ENGR Image EPC2032ENGR EPC TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE inquérito
EPC2030ENGR Image EPC2030ENGR EPC TRANS GAN 40V 31A BUMPED DIE inquérito
EPC2031 Image EPC2031 EPC MOSFET NCH 60V 31A DIE inquérito
EPC2032ENGRT Image EPC2032ENGRT EPC TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE inquérito
EPC2029ENGRT Image EPC2029ENGRT EPC TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE inquérito
EPC2034 Image EPC2034 EPC TRANS GAN 200V 48A BUMPED DIE inquérito
EPC2031ENGRT Image EPC2031ENGRT EPC MOSFET NCH 60V 31A DIE inquérito
EPC2029 Image EPC2029 EPC TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE inquérito
EPC2025ENGR Image EPC2025ENGR EPC TRANS GAN 300V 4A BUMPED DIE inquérito
EPC2033ENGR Image EPC2033ENGR EPC TRANS GAN 150V 31A BUMPED DIE inquérito

Latest Notícias