EPC2029ENGR
EPC2029ENGR
Osa numero:
EPC2029ENGR
Valmistaja:
EPC
Kuvaus:
TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Määrä:
54651 Pieces
Toimitusaika:
1-2 days
Tietolomake:
EPC2029ENGR.pdf

esittely

EPC2029ENGR paras hinta ja nopea toimitus.
BOSER Technology on EPC2029ENGR: n jakelija, meillä on varastot välitöntä toimitusta varten ja saatavilla myös pitkään. Lähetä meille EPC2029ENGR: n ostosuunnitelma sähköpostitse, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Sähköpostiosoitteemme: [email protected]

tekniset tiedot

Kunto New and Original
alkuperä Contact us
Jakelija Boser Technology
Jännite - Testi:1400pF @ 40V
Jännite - Breakdown:Die
Vgs (th) (Max) @ Id:3.2 mOhm @ 30A, 5V
teknologia:GaNFET (Gallium Nitride)
Sarja:eGaN®
RoHS-tila:Tray
RDS (Max) @ Id, Vgs:31A (Ta)
Polarisaatio:Die
Muut nimet:917-EPC2029ENGR
Käyttölämpötila:-40°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:EPC2029ENGR
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:13nC @ 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:2.5V @ 12mA
FET Ominaisuus:N-Channel
Laajennettu kuvaus:N-Channel 80V 31A (Ta) Surface Mount Die
Valua lähde jännite (Vdss):-
Kuvaus:TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:80V
kapasitanssi Ratio:-
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit