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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > EPC2015CENGR
EPC2015CENGR
EPC2015CENGR
Modelo do Produto:
EPC2015CENGR
Fabricante:
EPC
Descrição:
TRANS GAN 40V 36A BUMPED DIE
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade:
86606 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
EPC2015CENGR.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
Tensão - Teste:1000pF @ 20V
Tensão - Breakdown:Die Outline (11-Solder Bar)
VGS (th) (Max) @ Id:4 mOhm @ 33A, 5V
Vgs (Max):5V
Tecnologia:GaNFET (Gallium Nitride)
Série:eGaN®
Status de RoHS:Tape & Reel (TR)
RDS ON (Max) @ Id, VGS:36A (Ta)
Polarização:Die
Outros nomes:917-EPC2015CENGRTR
Temperatura de operação:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:EPC2015CENGR
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:8.7nC @ 5V
Tipo de IGBT:+6V, -4V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:2.5V @ 9mA
Característica FET:N-Channel
Descrição expandida:N-Channel 40V 36A (Ta) Surface Mount Die Outline (11-Solder Bar)
Escorra a tensão de fonte (Vdss):-
Descrição:TRANS GAN 40V 36A BUMPED DIE
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:40V
Rácio de capacitância:-
Email:[email protected]

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