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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > EPC2014C
EPC2014C
EPC2014C
Modelo do Produto:
EPC2014C
Fabricante:
EPC
Descrição:
TRANS GAN 40V 10A BUMPED DIE
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade:
65535 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
EPC2014C.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:2.5V @ 2mA
Vgs (Max):+6V, -4V
Tecnologia:GaNFET (Gallium Nitride)
Embalagem do dispositivo fornecedor:Die Outline (5-Solder Bar)
Série:eGaN®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:16 mOhm @ 10A, 5V
Dissipação de energia (Max):-
Embalagem:Original-Reel®
Caixa / Gabinete:Die
Outros nomes:917-1082-6
Temperatura de operação:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:12 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:300pF @ 20V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:2.5nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):5V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):40V
Descrição detalhada:N-Channel 40V 10A (Ta) Surface Mount Die Outline (5-Solder Bar)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:10A (Ta)
Email:[email protected]

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