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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > EPC2015CENGR
EPC2015CENGR
EPC2015CENGR
Modello di prodotti:
EPC2015CENGR
fabbricante:
EPC
Descrizione:
TRANS GAN 40V 36A BUMPED DIE
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
86606 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
EPC2015CENGR.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Tensione - Prova:1000pF @ 20V
Tensione - Ripartizione:Die Outline (11-Solder Bar)
Vgs (th) (max) a Id:4 mOhm @ 33A, 5V
Vgs (Max):5V
Tecnologia:GaNFET (Gallium Nitride)
Serie:eGaN®
Stato RoHS:Tape & Reel (TR)
Rds On (max) a Id, Vgs:36A (Ta)
Polarizzazione:Die
Altri nomi:917-EPC2015CENGRTR
temperatura di esercizio:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:EPC2015CENGR
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:8.7nC @ 5V
Tipo IGBT:+6V, -4V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:2.5V @ 9mA
Caratteristica FET:N-Channel
Descrizione espansione:N-Channel 40V 36A (Ta) Surface Mount Die Outline (11-Solder Bar)
Tensione drain-source (Vdss):-
Descrizione:TRANS GAN 40V 36A BUMPED DIE
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:40V
rapporto di capacità:-
Email:[email protected]

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