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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > EPC2020ENG
EPC2020ENG
EPC2020ENG
Modello di prodotti:
EPC2020ENG
fabbricante:
EPC
Descrizione:
TRANS GAN 60V 60A BUMPED DIE
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
60883 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
EPC2020ENG.pdf
Inchiesta

introduzione

EPC2020ENG miglior prezzo e consegna veloce.
BOSER Technology è il distributore di EPC2020ENG, disponiamo delle scorte per la spedizione immediata e disponibili anche per la fornitura a lungo termine. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per EPC2020ENG via e-mail, vi forniremo il miglior prezzo in base al vostro piano.
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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Tensione - Prova:1800pF @ 30V
Tensione - Ripartizione:Die
Vgs (th) (max) a Id:2.2 mOhm @ 31A, 5V
Tecnologia:GaNFET (Gallium Nitride)
Serie:eGaN®
Stato RoHS:Tray
Rds On (max) a Id, Vgs:60A (Ta)
Polarizzazione:Die
Altri nomi:917-EPC2020ENG
EPC2020ENGRB2
temperatura di esercizio:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:EPC2020ENG
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:16nC @ 5V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:2.5V @ 16mA
Caratteristica FET:N-Channel
Descrizione espansione:N-Channel 60V 60A (Ta) Surface Mount Die
Tensione drain-source (Vdss):-
Descrizione:TRANS GAN 60V 60A BUMPED DIE
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:60V
rapporto di capacità:-
Email:[email protected]

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Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
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