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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > EPC2023
EPC2023
EPC2023
Modello di prodotti:
EPC2023
fabbricante:
EPC
Descrizione:
TRANS GAN 30V 60A BUMPED DIE
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
71875 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
EPC2023.pdf
Inchiesta

introduzione

EPC2023 miglior prezzo e consegna veloce.
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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Vgs (th) (max) a Id:2.5V @ 20mA
Tecnologia:GaNFET (Gallium Nitride)
Contenitore dispositivo fornitore:Die
Serie:eGaN®
Rds On (max) a Id, Vgs:1.3 mOhm @ 40A, 5V
imballaggio:Original-Reel®
Contenitore / involucro:Die
Altri nomi:917-1088-6
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:12 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:2300pF @ 15V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione dettagliata:N-Channel 30V 60A (Ta) Surface Mount Die
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:60A (Ta)
Email:[email protected]

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