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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > EPC2020
EPC2020
EPC2020
Modello di prodotti:
EPC2020
fabbricante:
EPC
Descrizione:
TRANS GAN 60V 90A BUMPED DIE
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
46201 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
EPC2020.pdf
Inchiesta

introduzione

EPC2020 miglior prezzo e consegna veloce.
BOSER Technology è il distributore di EPC2020, disponiamo delle scorte per la spedizione immediata e disponibili anche per la fornitura a lungo termine. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per EPC2020 via e-mail, vi forniremo il miglior prezzo in base al vostro piano.
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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Vgs (th) (max) a Id:2.5V @ 16mA
Vgs (Max):+6V, -4V
Tecnologia:GaNFET (Gallium Nitride)
Contenitore dispositivo fornitore:Die
Serie:eGaN®
Rds On (max) a Id, Vgs:2.2 mOhm @ 31A, 5V
Dissipazione di potenza (max):-
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:Die
Altri nomi:917-1105-2
temperatura di esercizio:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:12 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1780pF @ 30V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:16nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):5V
Tensione drain-source (Vdss):60V
Descrizione dettagliata:N-Channel 60V 90A (Ta) Surface Mount Die
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:90A (Ta)
Email:[email protected]

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Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
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