AON2409
AON2409
Modelo do Produto:
AON2409
Fabricante:
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Descrição:
MOSFET P-CH 30V 8A 6DFN
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade:
67316 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
1.AON2409.pdf2.AON2409.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:2.3V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:6-DFN-EP (2x2)
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:32 mOhm @ 8A, 10V
Dissipação de energia (Max):2.8W (Ta)
Embalagem:Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete:6-UDFN Exposed Pad
Outros nomes:785-1395-1
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:26 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:530pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:14.5nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição detalhada:P-Channel 30V 8A (Ta) 2.8W (Ta) Surface Mount 6-DFN-EP (2x2)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:8A (Ta)
Email:[email protected]

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