| Condição | New and Original |
|---|---|
| Origem | Contact us |
| Distribuidor | Boser Technology |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 2.3V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | 6-DFN-EP (2x2) |
| Série: | - |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 108 mOhm @ 3A, 10V |
| Dissipação de energia (Max): | 1.5W (Ta) |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | 6-WDFN Exposed Pad |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 180pF @ 15V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 6nC @ 10V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Característica FET: | Schottky Diode (Body) |
| Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado): | 4.5V, 10V |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 30V |
| Descrição detalhada: | P-Channel 30V 3A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 6-DFN-EP (2x2) |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 3A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
