AON2409
AON2409
Modèle de produit:
AON2409
Fabricant:
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
La description:
MOSFET P-CH 30V 8A 6DFN
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
67316 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
1.AON2409.pdf2.AON2409.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:2.3V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:6-DFN-EP (2x2)
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:32 mOhm @ 8A, 10V
Dissipation de puissance (max):2.8W (Ta)
Emballage:Cut Tape (CT)
Package / Boîte:6-UDFN Exposed Pad
Autres noms:785-1395-1
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:26 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:530pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:14.5nC @ 10V
type de FET:P-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss):30V
Description détaillée:P-Channel 30V 8A (Ta) 2.8W (Ta) Surface Mount 6-DFN-EP (2x2)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:8A (Ta)
Email:[email protected]

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