| Stan | New and Original |
|---|---|
| Pochodzenie | Contact us |
| Dystrybutor | Boser Technology |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 1V @ 1mA |
| Technologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 6-UDFNB (2x2) |
| Seria: | U-MOSVII |
| RDS (Max) @ ID, Vgs: | 9.1 mOhm @ 4A, 8V |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 6-WDFN Exposed Pad |
| Inne nazwy: | SSM6J511NU,LF(B SSM6J511NU,LF(T SSM6J511NULF SSM6J511NULFTR |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds: | 3350pF @ 6V |
| Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs: | 47nC @ 4.5V |
| Rodzaj FET: | P-Channel |
| Cecha FET: | - |
| Spust do źródła napięcia (Vdss): | 12V |
| szczegółowy opis: | P-Channel 12V 14A (Ta) Surface Mount 6-UDFNB (2x2) |
| Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C: | 14A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
