| Состояние | New and Original |
|---|---|
| происхождения | Contact us |
| дистрибьютор | Boser Technology |
| Vgs (й) (Max) @ Id: | 1V @ 1mA |
| Технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства: | 6-UDFNB (2x2) |
| Серии: | U-MOSVII |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 9.1 mOhm @ 4A, 8V |
| упаковка: | Tape & Reel (TR) |
| Упаковка /: | 6-WDFN Exposed Pad |
| Другие названия: | SSM6J511NU,LF(B SSM6J511NU,LF(T SSM6J511NULF SSM6J511NULFTR |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип установки: | Surface Mount |
| Уровень чувствительности влаги (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds: | 3350pF @ 6V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs: | 47nC @ 4.5V |
| Тип FET: | P-Channel |
| FET Характеристика: | - |
| Слить к источнику напряжения (VDSS): | 12V |
| Подробное описание: | P-Channel 12V 14A (Ta) Surface Mount 6-UDFNB (2x2) |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C: | 14A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
