SSM6J505NU,LF
SSM6J505NU,LF
Part Number:
SSM6J505NU,LF
Producent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Opis:
MOSFET P CH 12V 12A UDFN6B
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bezołowiowa / zgodna z RoHS
Ilość:
84275 Pieces
Czas dostawy:
1-2 days
Arkusz danych:
SSM6J505NU,LF.pdf

Wprowadzenie

SSM6J505NU,LF najlepsza cena i szybka dostawa.
BOSER Technology jest dystrybutorem SSM6J505NU,LF, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne na długi czas dostawy. Prześlij nam swój plan zakupu SSM6J505NU,LF pocztą elektroniczną, a my damy Ci najlepszą cenę zgodnie z Twoim planem.
Nasz e-mail: [email protected]

Specyfikacje

Stan New and Original
Pochodzenie Contact us
Dystrybutor Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:1V @ 1mA
Vgs (maks.):±6V
Technologia:MOSFET (Metal Oxide)
Dostawca urządzeń Pakiet:6-UDFNB (2x2)
Seria:U-MOSVI
RDS (Max) @ ID, Vgs:12 mOhm @ 4A, 4.5V
Strata mocy (max):1.25W (Ta)
Opakowania:Tape & Reel (TR)
Package / Case:6-WDFN Exposed Pad
Inne nazwy:SSM6J505NU,LF(B
SSM6J505NU,LF(T
SSM6J505NULF
SSM6J505NULFTR
temperatura robocza:150°C (TJ)
Rodzaj mocowania:Surface Mount
Poziom czułości na wilgoć (MSL):1 (Unlimited)
Status bezołowiowy / status RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds:2700pF @ 10V
Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs:37.6nC @ 4.5V
Rodzaj FET:P-Channel
Cecha FET:-
Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On):1.2V, 4.5V
Spust do źródła napięcia (Vdss):12V
szczegółowy opis:P-Channel 12V 12A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount 6-UDFNB (2x2)
Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C:12A (Ta)
Email:[email protected]

Szybkie zapytanie ofertowe

Part Number
Ilość
Firma
E-mail
Telefon
Komentarze