STD16N65M2 최고의 가격과 빠른 배달.
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STD16N65M2
- 제품 모델:
- STD16N65M2
- 기술:
- MOSFET N-CH 650V 11A DPAK
- [LeadFreeStatus]未找到翻译
- 무연 / RoHS 준수
- 수량:
- 82303 Pieces
- 배달 시간:
- 1-2 days
- 데이터 시트:
- STD16N65M2.pdf
소개
우리의 이메일 : [email protected]
규격
| 조건 | New and Original |
|---|---|
| 유래 | Contact us |
| 살수 장치 | Boser Technology |
| 전압 - 테스트: | 718pF @ 100V |
| 전압 - 파괴: | DPAK |
| 아이디 @ VGS (일) (최대): | 360 mOhm @ 5.5A, 10V |
| Vgs (최대): | 10V |
| 과학 기술: | MOSFET (Metal Oxide) |
| 연속: | MDmesh™ M2 |
| RoHS 상태: | Digi-Reel® |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대): | 11A (Tc) |
| 편광: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 다른 이름들: | 497-15258-6 |
| 작동 온도: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형: | Surface Mount |
| 수분 민감도 (MSL): | 1 (Unlimited) |
| 제조업체 표준 리드 타임: | 26 Weeks |
| 제조업체 부품 번호: | STD16N65M2 |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: | 19.5nC @ 10V |
| IGBT 유형: | ±25V |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs: | 4V @ 250µA |
| FET 특징: | N-Channel |
| 확장 설명: | N-Channel 650V 11A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount DPAK |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss): | - |
| 기술: | MOSFET N-CH 650V 11A DPAK |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id): | 650V |
| 용량 비율: | 110W (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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