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SIR882DP-T1-GE3
- 部品型番:
- SIR882DP-T1-GE3
- 説明:
- MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
- [LeadFreeStatus]未找到翻译
- 鉛フリー/ RoHS準拠
- 数量:
- 71140 Pieces
- 配達時間:
- 1-2 days
- データシート:
- SIR882DP-T1-GE3.pdf
簡潔な
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規格
| 状況 | New and Original |
|---|---|
| 出典 | Contact us |
| 配給業者 | Boser Technology |
| 同上@ VGS（TH）（最大）: | 2.8V @ 250µA |
| Vgs（最大）: | ±20V |
| 技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ: | PowerPAK® SO-8 |
| シリーズ: | TrenchFET® |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）: | 8.7 mOhm @ 20A, 10V |
| 電力消費（最大）: | 5.4W (Ta), 83W (Tc) |
| パッケージング: | Original-Reel® |
| パッケージ/ケース: | PowerPAK® SO-8 |
| 他の名前: | SIR882DP-T1-GE3DKR |
| 運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ: | Surface Mount |
| 水分感受性レベル（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Lead free / RoHS Compliant |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds: | 1930pF @ 50V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs: | 58nC @ 10V |
| FETタイプ: | N-Channel |
| FET特長: | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: | 4.5V, 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン: | 100V |
| 詳細な説明: | N-Channel 100V 60A (Tc) 5.4W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）: | 60A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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