SIRA00DP-T1-RE3
部品型番:
SIRA00DP-T1-RE3
メーカー:
Electro-Films (EFI) / Vishay
説明:
MOSFET N-CH 30V 100A POWERPAKSO
数量:
55922 Pieces
配達時間:
1-2 days
データシート:
SIRA00DP-T1-RE3.pdf

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規格

状況 New and Original
出典 Contact us
配給業者 Boser Technology
同上@ VGS(TH)(最大):2.2V @ 250µA
Vgs(最大):+20V, -16V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:PowerPAK® SO-8
シリーズ:TrenchFET®
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):1 mOhm @ 20A, 10V
電力消費(最大):104W (Tc)
パッケージング:Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:PowerPAK® SO-8
運転温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
メーカーの標準リードタイム:32 Weeks
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:11700pF @ 15V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:220nC @ 10V
FETタイプ:N-Channel
FET特長:-
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V, 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン:30V
詳細な説明:N-Channel 30V 100A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):100A (Tc)
Email:[email protected]

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