MT3S113(TE85L,F)
部品型番:
MT3S113(TE85L,F)
メーカー:
Toshiba Semiconductor and Storage
説明:
RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N
[LeadFreeStatus]未找到翻译
鉛フリー/ RoHS準拠
数量:
76316 Pieces
配達時間:
1-2 days
データシート:
MT3S113(TE85L,F).pdf

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規格

状況 New and Original
出典 Contact us
配給業者 Boser Technology
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):5.3V
トランジスタ型式:NPN
サプライヤデバイスパッケージ:S-Mini
シリーズ:-
電力 - 最大:800mW
パッケージング:Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
他の名前:MT3S113(TE85LF)
MT3S113(TE85LF)TR
運転温度:150°C (TJ)
ノイズ指数(F @デシベル標準):1.45dB @ 1GHz
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:12 Weeks
鉛フリーステータス/ RoHSステータス:Lead free / RoHS Compliant
利得:11.8dB
周波数 - トランジション:12.5GHz
詳細な説明:RF Transistor NPN 5.3V 100mA 12.5GHz 800mW Surface Mount S-Mini
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小):200 @ 30mA, 5V
電流 - コレクタ(Ic)(Max):100mA
Email:[email protected]

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