MT3S113(TE85L,F)
Số Phần:
MT3S113(TE85L,F)
nhà chế tạo:
Toshiba Semiconductor and Storage
Sự miêu tả:
RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng:
76316 Pieces
Thời gian giao hàng:
1-2 days
Bảng dữliệu:
MT3S113(TE85L,F).pdf

Giới thiệu

MT3S113(TE85L,F) giá tốt nhất và giao hàng nhanh.
BOSER Technology là nhà phân phối cho MT3S113(TE85L,F), chúng tôi có các cổ phiếu để vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho MT3S113(TE85L,F) qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Email của chúng tôi: [email protected]

Thông số kỹ thuật

Điều kiện New and Original
Gốc Contact us
Nhà phân phối Boser Technology
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):5.3V
Loại bóng bán dẫn:NPN
Gói thiết bị nhà cung cấp:S-Mini
Loạt:-
Power - Max:800mW
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vài cái tên khác:MT3S113(TE85LF)
MT3S113(TE85LF)TR
Nhiệt độ hoạt động:150°C (TJ)
Tiếng ồn Hình (dB Typ @ f):1.45dB @ 1GHz
gắn Loại:Surface Mount
Độ nhạy độ ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:12 Weeks
Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Lợi:11.8dB
Tần số - Transition:12.5GHz
miêu tả cụ thể:RF Transistor NPN 5.3V 100mA 12.5GHz 800mW Surface Mount S-Mini
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, VCE:200 @ 30mA, 5V
Hiện tại - Collector (Ic) (Max):100mA
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận